7月19日，据盖世汽车报道，半导体制造商罗姆（ROHM）宣布推出集成650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的Hybrid IGBT（混合型IGBT），即RGWxx65C系列（包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），并符合汽车可靠性标准AEC-Q101。新产品适用于处理大功率的汽车和工业应用，例如光伏电源调节器、车载充电器以及电动和电气化汽车（xEV）中使用的DC/DC转换器。

报道中还称，RGWxx65C系列在IGBT的反馈单元（续流二极管）中采用了罗姆的低损耗SiC肖特基势垒二极管，几乎没有恢复能量，因此可将二极管开关损耗降至最小。此外，由于在开启模式下恢复电流不必由IGBT处理，因此显著降低了IGBT的开启损耗。当将该产品用于车载充电器时，在这两种效应的共同作用下，其损耗与传统IGBT相比降低67%，与超级结MOSFET（SJ MOSFET）相比降低24%，从而进一步提高性价比，并降低工业和汽车应用中的功耗。

据了解，前段时间罗姆（ROHM）举办了在线发布会，细致介绍了放大器和比较器的作用以及罗姆在这上面的布局。此外，罗姆还推出一款抗EMI性能非常出色的运算放大器“BD8758xYx-C”系列，新产品具备“EMARMOURTM系列”中超高的抗干扰性能，有助于减少异常检测系统的设计工时并提高系统可靠性。

罗姆上海技术中心的FAE朱莎勤提到，影响运算放大器精度的参数包括输入偏置电流，输入失调电压，以及等效输入噪声电压，这些都是运算放大器自身的参数。通过优化这些参数，使传感器系统的精度得以提高。

该产品已经于2021年5月份量产，同时该系列中还有4通道产品尚在开发中。罗姆称，未来将会继续扩大新产品阵容，并且还会将高抗干扰技术应用到电源IC等产品中，为进一步减少各种应用的设计工时和提高应用的可靠性贡献力量。