近日，国家发改委、科技部等四部门联合发布《关于扩大战略性新兴产业投资 培育壮大新增长点增长极的指导意见》(下称意见)。意见指出，要加快新能源产业跨越式发展。聚焦新能源装备制造“卡脖子”问题，加快主轴承、IGBT、控制系统、高压直流海底电缆等核心技术部件研发。
近年来，中美贸易战不断升级，进一步影响了全球产业链的完整性，美国通过限制核心技术和芯片出口，试图压制中国制造业的崛起，从中兴事件，到华为孟晚舟扣押，美国步步紧逼，不仅限制了华为使用美国企业的芯片，同时还禁止全球代工厂为华为生产芯片。反观华为”断芯“的背后，技术落后容易受人牵制，只有自主研发才能打破“卡脖子”问题，美国科技领域在世界领先，尤其高端核心技术，包括芯片、先进材料加工、光刻技术等等。此次意见的发布，表明了政策对产业的大力支持，攻克核心技术，自强发展。
此次意见提出要加快主轴承、IGBT、控制系统、高压直流海底电缆等核心技术部件研发。其中，IGBT是一种电力电子器件，广泛应用于工业、电力、新能源、家电等多个行业，是变频器、风电变流、光伏逆变器、电动汽车电控等产品的核心部件。目前，国内IGBT大部分依赖进口，虽然国产企业也推出了相应的产品，但仍然无法与外来品牌相比，市场占用率不足。虽然国内技术落后于国外，但全球一半的IGBT市场在中国，将成为本土厂商成长的最好驱动力。而近年来，政策大力推动产业发展，并带动了资本市场，各方开始大力投资半导体。本土企业除了有可能在技术追上国际水平之外，在成本方面也是一个优势发力点。此外，第三代半导体材料的突破发展，很有可能是本土厂实现超车的弯道。其实，近年国内IGBT厂商没有停止过追赶，例如比亚迪已经将半导体公司拆分开来，比亚迪半导体研发的车规级IGBT已经发展到第四代水平，在汽车领域市场占比20％左右，仅次于排在全球第一的英飞凌。比亚迪半导体实现了IGBT的设计、研发、制造及服务，已经成为领先的半导体IDM企业。今年５月份，比亚迪半导体成功引入19亿元战略投资，随后不久又增资8亿元，两轮资融资共27亿元，引入了超过30家机构，目前公司估值已经超过百亿，离冲击上市又近了一步。未来几年，本土厂商有很大的机会，随着国内用户对本土产品的认可，逐步使用国产IGBT代替进口，国产功率半导体产业将进一步打开成长空间。根据国内IGBT的龙头斯达半导体的半年报，公司上半年实现营收4.16亿元，同期增长13.65%，归属于上市公司股东的净利润8067.11万元，同期增长25.3%。目前斯达半导体的IGBT产品已经超过600种，电压级别涵盖100Ｖ～3300Ｖ，主要用于变频器、逆变焊机和UPS等产品，用户包括有英威腾、汇川技术、欧瑞传动、上海电驱动等。实际上，斯达半导体IGBT产品在2016年销量就挤进了全球前十，而2018年上升到第八位。今年两会期间，民进中央提出将第三代半导体产业写入“十四五”规划，国内IGBT厂商正在迎来发展良机，纷纷加快布局功率半导体产业。今年7月份，中车时代半导体有限公司计划建汽车用750V精细沟槽IGBT芯片试制项目，内容包括基于已有8英寸IGBT芯片生产线和模块封装线，开展750V精细沟槽栅IGBT芯片的技术开发，该项目己通过备案批复，总投资600万元。
自2008年收购英国丹尼克斯半导体公司75%股权，中车时代电气就掌握IGBT芯片技术研发、模块封装测试和系统应用，并在2014年投产8英寸IGBT专业芯片生产线。目前，中车时代电气完成了从650伏到6500伏IGBT芯片研发，尤其在高压IGBT芯片制造技术上实现了超越。随着新能源电力的发展以及汽车电气化演进，国内IGBT的市场容量将不断扩大，而留给本土厂商的空间十分巨大。上半年，赛晶电力电子实现营业收入6.88亿元，同比增长9.6%，扣非利润为7723万元，同比增长52.5%。公司在输变电领域投资力度加强，多个特高压直流输电和柔性直流输电项目取得良好进展。值得注意，赛晶电力电子在2019年上半年启动了IGBT研发项目，而今年6月份位于嘉兴市的赛晶IGBT功率半导体项目正式开工，其中一期项目占地34亩，规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线、5条IGBT模块封装测试生产线，建成后年产能达200万件高品质IGBT模块产品。综上所述，国产IBGT产业已经进入了一个长期拉力赛。相信在政策、市场和资本的推动下，陆续会有更多厂商进入，从上游材料到晶圆生产，再到IGBT的设计、制造等，一个庞大的产业链正在形成。目前，国内已经形成了一批有实力的厂商，除了上面提到的，还有中科君芯、宏微科技、无锡新洁能等，那么，国产IBGT将有望乘风破浪。
