高聚物热解碳材的研究有：XiangHong-Qi等发现酚醛树脂交联密度对碳的充电量有极大的影响，交联密度越大，得到的充电容量可大于其理论容量，作者认为是由在充电曲线(vs.Li/Li+)/V附近的电位平台引起的。唐致远等对国产热固性酚醛树脂的热解过程作了研究，在不同温度段升温速度应予控制。田玉美等<118>用碱催化合成酚醛树脂，加ZnCl2掺杂，在惰气氛下于580裂解制的聚并苯。当充放电电流密度为02mA/cm2其比容量最大。梁洪泽等<119>以高分子PBP作为前驱体炭化以后具有石墨化的层结构，但层距d002=0.370.41nm之间，并进行了电化学性能研究，库仑效率可达85%.吴宇平等<120>合成了聚4-乙烯吡咯为基体的碳材，具有高容量，他们还以丙烯腈-苯乙烯共聚物为基体交联、脱氢，降低温度，以利炭化，增加了孔隙结构。

　　改性碳素负极研究较多。王晓峰等<122>通过CO2修饰天然石墨，以改善SEI膜状态。黄振谦等<123>以天然鳞片石墨，加入添加剂，经HNO3和有机硼酸酯处理得到改性活性石墨，容量超过257mAh/g，开路电压高。吴宇平等<124>通过引入非金属元素如B、Si、N、P、S或引入金属元素如K、Al、Ga和过渡金属元素如V、W、Co、Cu、Fe等，或通过表面处理如氧化，形成表面层，以影响碳材的电子状态，晶体结构及表面。马树华等通过对碳材表面的氧化、还原<125>，或通过具有核壳结构的碳材<126>，或人工施加的固体电解质膜对碳负极性能的改善<127>.吴宇平<128>等还加入V2O5，以增大d002面的间距，起着成核剂作用，以增大可逆容量和改善循环，他们<129>还以密胺树脂为基体热处理并掺磷的碳材，可逆容量达516mAh/g.王永清等<130>采用电化学方法合成在石墨层间掺有元素B、O和S的掺杂态石墨，研究了掺杂元素B的键合。高彦东等<131>通过表面附着和热处理法，合成了石墨铁氧化物复合碳材，当电流密度为05mA/cm2时，初始容量可达405mAh/g，唐致远等<132>对国产人工石墨进行了热处理，讨论了热处理条件和烧失率与结构的关系。

　　研究碳素嵌锂：冯熙康等<137>研究了锂离子在石墨中的嵌入特性，认为充电时依次形成了Li0.5C6和LiC6两种化合物。邱新平等<138>研究了锂在碳素中的扩散过程。吴宇平等<139>提出了锂在碳材中可逆高贮存机理，以及微孔储Li机理<140>即层表面边端机理。王继生等<141>用交流阻抗谱法研究了锂在石墨中的嵌入，讨论了钝化膜的形成及不可逆容量损失的原因。常玉琴等<142>提出不可逆容量损失是由表面膜形成的容量损失及发生在02500V间的一种未知不可逆容量损失两部分组成的。周琴等<143>也提出了碳负极嵌锂的研究。张洪敏等<144>设计了三种模型的边端进行量子化计算，表明锂离子与周围的碳氢原子形成了形状不同的共价键。

　　刘伟峰等<145>发现充放电速率对充电和放电容量有不同的影响，并有明显分级行为。王德全等<146>认为用改性石墨和复合石墨可明显提高容量嵌入容量。杨汉西等<147>用原位电子自旋共振(ESR)法研究了石油焦中嵌锂。周震涛等<148>用XRD和CV法研究了石墨嵌锂行为。熊勇等<149>认为碳素嵌锂由晶格中嵌入与缺陷中嵌入两种贡献，取决于规整晶体结构的含量。

　　其它材料周震涛等<156>研究了含氟聚合物(以偏聚氟乙烯为基料溶于N甲基吡咯烷酮或二甲基乙酰胺中)粘结剂的配方、胶层干燥、粘结强度、耐电液性以及对石墨电极的电化学性能影响，他们<157>还研究了粘结剂和集流体对石墨负极的影响，认为使用PTFE比容量高。而Cu箔优于Cu网。同时还研究了电解液与石墨负极的相容性。

　　聚合物电解质做了较多的研究。邓正华等<159>合成了聚氯乙烯(PVC)/丁腈胶(NBR)/甲基丙烯酸齐聚氧化乙烯酯(MEO16)和甲基丙烯酸己基磺酸锂(SHMALi)多相聚合物。田顺宝等<160161>研究了无机物对聚酰亚胺(BPDA-ODA)/LiClO4系的电导率。

　　黄碧英等<162>合成了以PAN为基的固体电解质，用红外光谱研究了增塑剂EC/BL的相互作用，还用核磁共振研究了Li+在PAN-EC-PC-DMSO-LiClO4电解质中的运动状态<163>，还用Raman和IR研究了PAN-EC-LiClO4固体电解质中组分间的互相作用<164>，他们还用IR与Raman谱研究了PAN与LiClO4不同质量比下形成的PAN/LiClO4-EC中Li+强烈与PAN中的CN基团作用<165>.周如琪等<166>对改性LiClO4-(PEO)20电解质的离子迁移数进行了测定，电导率可达810-4S/cm.董绍俊等<167>研究了聚合物电解质中二茂铁扩散与四联电子传递速率。