不想当将军的士兵不是好士兵，进行碳化硅（SiC）融资的企业大概率是奔着上市去的。之所以能够融到资，皆因碳化硅是一种具有特殊性质的半导体材料，在高温、高功率、高压、高频等极端环境下具有广泛的应用前景。

不过，由于碳化硅材料制备工艺复杂，技术门槛高，生产成本也相对较高，因此碳化硅材料企业通常需要较大的资金支持。通过融资、上市，企业可以获得更多的资金支持，扩大生产规模，提高技术水平，增强市场竞争力；也可以提高企业知名度和品牌价值，吸引更多的优秀人才和合作伙伴，为企业的长期发展奠定坚实的基础。

然而，上市并不是企业发展的唯一目的，也不是所有企业都能够成功上市。要想成功上市，需要具备强大的技术实力、稳定的市场需求和良好的财务状况等条件；还需要注重自身核心竞争力和可持续发展能力，不断提高产品质量和服务水平，以满足客户的需求和投资者的期望。

我们来看看在国内还没有上市的一些碳化硅企业表现如何。

南砂晶圆

南砂晶圆成立于2018年，是一家从事碳化硅单晶材料研发、生产和销售三位一体的国家高新技术企业。公司以山东大学近年来研发的最新碳化硅单晶生长和衬底加工技术成果为基础，与山东大学开展全方位产学研合作。

该公司2022年底完成了B+轮融资，由浑璞投资领投。早在2021年9月，总投资9亿元的总部基地项目封顶，其用地面积36.8亩，规划建筑面积91372.47平方米，项目建成稳定运营后可年产碳化硅各类衬底15万片。

2022年公司联合山东大学晶体材料国家重点实验室经过多年的理论和技术攻关，实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底的制备。

晶越半导体

晶越成立于2020年，主要聚焦于6-8英寸导电型碳化硅衬底材料的研发、生产与销售。

2020年6月，当地市经开区与溢起投资合伙企业、高冰博士团队在上海正式签署“晶越碳化硅晶圆项目”三方投资协议书。该项目共分三期，总投资达100亿元，一期投产后将具备月产1500片碳化硅晶圆能力。

2021年7月，浙江绍兴市生态环境局受理晶越碳化硅项目环评文件。据介绍，该项目一期拟投资约1.35亿元，年产1.2万片6英寸碳化硅晶片。

2022年6月，晶越完成完成B轮融资，领投方为红杉资本等，此轮融资估值达1.35亿元。

粤海金半导体

粤海金成立于2022年，是高金富恒集团旗下专门从事碳化硅半导体材料研发与生产的产业化公司，旗下有山东东营产业化基地和北京研发中心两大核心板块。

该公司在工艺技术上依托中科钢研、国宏中宇第三代半导体材料制备关建共性技术北京市工程实验室的强大科研能力，已形成具有自主知识产权的关键核心技术体系。

国宏中能年产11万片碳化硅衬底项目总投资6.5亿元，总建筑面积3万平方米。通过在材料制备技术体系、核心装备研制上的持续科研投入，同时紧密结合研发成果的产业化生产转化，目前该项目已经具备投产条件。

2023年5月，公司完成过亿元PreA轮融资。据了解，自2022年9月以来，高金富恒已陆续投资超6亿元，对北京研发中心、山东生产基地进行技术升级和扩能改造。目前，粤海金的碳化硅衬底即将量产交付。

2023年11月，粤海金半导体成功研制出8英寸导电型碳化硅单晶与衬底片。

科友半导体

科友半导体成立于2018年，是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制作、器件设计、科研成果转化的国家级高新技术企业，研发覆盖半导体装备研制、长晶工艺、衬底加工等多个领域。

2022年5月，随着2020年开工的科友半导体产学研聚集区项目一期工程收尾完工，以科友自有技术为依托的年产10万片第三代半导体衬底材料生产线即将投产。

公司已形成自主研发的6-8英寸碳化硅晶体生长关键技术及2-4英寸氮化铝晶体生长关键技术，6英寸碳化硅晶体厚度成功突破40mm。2022年底，科友半导体通过自主设计制造的电阻长晶炉产出直径超过8英寸的碳化硅单晶，晶体表面光滑无缺陷，最大直径超过204mm。这是该公司继在6英寸碳化硅晶体实现40mm厚度突破后，取得的又一次极具历史意义的重大突破。

据了解，科友半导体现有长晶炉生产线1条，年产长晶炉200台，高纯石墨加工设备、高纯度碳化硅原料制备设备各一套；6-8寸碳化硅晶体生产线1条，年产6-8寸碳化硅衬底10万片。

科友半导体已突破8英寸碳化硅量产关键技术，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。2023年4月，其8英寸碳化硅中试线正式贯通并进入生产，平均长晶良率已突破50%，晶体厚度15mm以上，打破了国际限制和封锁。

烁科晶体

中国电科旗下烁科晶体成立于2018年，是国内从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发的领军企业。其打造的中国电科（山西）碳化硅材料产业基地一期项目于2019年4月1日开工建设，2020年3月基地第一批设备正式启动。一期项目可容纳600台碳化硅单晶生长炉，建成后将具备年产10万片4-6英寸n型碳化硅单晶晶片、5万片4-6英寸高纯半绝缘型碳化硅单晶晶片的生产能力，是目前国内最大的碳化硅材料产业基地。

目前4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底已实现产业化，月产能8000片，在国内市场占有率超过50%。2022年，在高纯半绝缘衬底稳定生产前提下，大幅提升了6英寸n型衬底产能，此前产能为6000片/月。同年，实现了8英寸n型碳化硅抛光片小批量生产，向8英寸国产n型碳化硅抛光片的批量化生产迈出了关键一步。

二期项目于2023年9月开始建设，10月进入主体钢结构施工，11月主体完成封顶，并具备设备进厂条件。2024年2月二期项目投产，预计2025年全面投产后碳化硅衬底年产能可达30万片。

微芯长江

微芯长江成立于2020年，由上海申和投资有限公司、中国科学院上海硅酸盐研究所、铜陵市国有资本运营控股集团等投资建设，主要从事碳化硅锭、碳化硅片及相关产品的研发、生产和销售。

2020年，微芯长江碳化硅单晶衬底研发及产业化项目顺利开工，投资13.50亿人民币，建设工期4年，项目截止期为2024年10月，投产后前3年生产负荷分别为33%、67%、100%。达成后预计年产4英寸碳化硅晶圆3万片、6英寸晶圆12万片。2021年11月，微芯长江举行年产15万片碳化硅晶圆片项目建设工程竣工仪式。

乾晶半导体

乾晶半导体成立于2020年，专注于第三代半导体材料领域，是一家集半导体碳化硅单晶生长、晶片加工和设备开发为一体的高新技术企业。

2023年2月，乾晶半导体完成1亿元Pre-A轮融资。4月，乾晶半导体“功率器件用6/8英寸碳化硅抛光衬底研发、中试项目”开工。该项目总占地面积22亩，总建筑面积约19000平方米，总投资约3亿元，计划建成碳化硅6/8英寸单晶生长和衬底加工的中试基地。

5月，浙大杭州科创中心先进半导体研究院-杭州乾晶半导体联合实验室成功研制出8英寸导电型碳化硅，包括8英寸碳化硅晶锭、8英寸碳化硅抛光衬底。晶锭生长采用多段式电阻加热物理气相传输（PVT）工艺，生长出厚度达27mm的8英寸n型碳化硅单晶锭，加工获得了8英寸碳化硅衬底，成功跻身于8英寸碳化硅俱乐部。

据了解，在长晶技术方面，乾晶生长的6英寸碳化硅晶体厚度在20mm以上，最厚可达50mm，长晶成品率达70%，晶体生长时间为5天，处于国内领先水平。在切割方面，乾晶解决了金刚石线高线速切削加工剧烈、晶片翘曲度大的问题，切割一刀时长缩短到20小时，大大提高了加工效率。此外，乾晶半导体正在开发激光剥离技术，有望进一步降低晶片切割损耗和损伤层厚度。

天科合达

天科合达成立于2006年，是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅晶片研发、生产和销售的国家级高新技术企业，业务涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备、碳化硅单晶衬底制备和碳化硅外延制备；碳化硅衬底市占率全球排名第二。

2022年11月，天科合达发布8英寸导电碳化硅衬底晶片，多项指标均处于业内领先水平，已达到量产标准，2023年开始小规模量产。

2023年2月，天科合达完成Pre-IPO轮融资。8月，碳化硅晶片二期扩产项目开工，将新增16万片产能，计划2024年6月完成建设，8月竣工投产，届时总产能将达到23万片。

2023年5月，天科合达与英飞凌签订长期协议，将提供6英寸碳化硅晶圆和晶锭，供应量将占英飞凌长期需求量的两位数份额；并将提供8英寸直径碳化硅材料，助力英飞凌向8英寸直径晶圆过渡。

2023年9月，因经济及证券市场原因，IPO政策突然收紧，天科合达再次止步IPO。不过，2023年下半年，公司营收首次突破10亿元，较上年翻了一番。据了解，公司现已累计服务国内外500余家客户，累计销售导电型碳化硅衬底材料60余万片。

天达晶阳

天达晶阳成立于2020年，以中国科学院物理研究所、天科合达为技术依托，采用的技术综合实力在碳化硅单晶衬底行业排名国内第一、世界第四，达到了国内领先和国际先进水平。

2021年4月，天达晶阳碳化硅单晶体项目开始进行无尘车间改造，一期54台碳化硅单晶生长炉已全部到场，30台已安装到位进行调试。

2022年4月，公司再投资7.31亿元，将建设400台套完整设备的碳化硅晶体生产线，达产后4-8英寸碳化硅晶片的年产能将达到12万片。

中电化合物

中电化合物成立于2019年，是由华大投资的一家碳化硅晶体、衬底、外延和GaN外延制造企业，持股比例超过48.93%。

2022年10月，中电化合物总投资10.5亿元建设宽禁带半导体材料项目，并计划2021-2025年投入8亿元。该项目将分二期建设：一期投资2.2亿元，租用1万平方米厂房；二期征用土地70亩，形成年产8万片4-6寸碳化硅衬底及外延、碳化硅基氮化镓N外延能力。

2023年6月，中电化合物与韩国Power Master签署长期供应包括8英寸碳化硅材料的协议。7月，中电化合物获瑞能半导投资5000万元。

天成半导体

天成半导体成立于2021年，经营范围包括半导体器件专用设备制造、电子专用材料研发、新兴能源技术研发等。

2021年11月，山西省审批通过天成半导体碳化硅项目。该项目投资额3000万元，采用PVT法生长6英寸碳化硅晶锭，正式投产后年产1500kg晶锭。

2022年4月，天成半导体仅用半年时间就将4英寸碳化硅衬底升级至6英寸，并即将投产。二期项目包括厂房扩建、设备扩充及一条全自动线切割抛光清洗加工线，完成后将年产导电型和半绝缘型碳化硅衬底2万片。

二期10000平方米厂房已接近验收，规划年产10万片；二期一单元已建成，产能达到月产1000片，并已有客户提前预定。

超芯星

超芯星成立于2019年，是国内第一家专注于大尺寸碳化硅衬底产业化的公司，目前已经实现6英寸碳化硅衬底量产出货。超芯星创始团队源自国际顶尖HTCVD法的Norstel公司，曾主导1、2、3、4、6英寸碳化硅衬底的研发及产业化。

据了解，超芯星是国内极少数具备国际竞争力的碳化硅衬底供应商，目前其6英寸碳化硅衬底已顺利进入美国一流器件厂商，这也是国内碳化硅衬底公司在国际市场上的首次突破。为满足全球市场的旺盛需求，公司正在有序交货和积极扩产，预计6-8英寸碳化硅衬底产能未来将提升至150万片/年。

2023年12月，超芯星完成数亿元C轮融资。

同光半导体

同光半导体成立于2012年，公司致力于碳化硅单晶衬底的研发、生产及销售，是国内率先量产碳化硅单晶衬底的制造商之一，也是国际上少数同时掌握高纯半绝缘衬底和导电型衬底制备技术的企业。

历经2年多的研发，同光半导体8英寸导电型碳化硅晶体样品已经出炉，目前正在攻关加工成碳化硅单晶衬底，预计近期可实现小批量生产，将由客户制成功率芯片。

2022年，河北同光碳化硅衬底产能约为10万片/年，并在规划建设2000台碳化硅晶体生长炉生长基地和年产60万片碳化硅单晶衬底加工基地，预计2025年末达产。

世纪金芯

世纪金芯成立于2019年，是一家致力于第三代半导体碳化硅功能材料研发与生产的技术企业。

2022年9月，世纪金芯年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目在合肥投产，晶体良率达到92%以上，综合良率达到65%；衬底外延后至下游芯片流片结果统计，SBD产品综合良率在95%以上，MOSFET产品综合良率达到88%。产品已批量生产与交付。同时，8英寸单晶研发进展顺利，已步入送样验证阶段，产品各项指标均处于业内领先水平。

2024年1月，世纪金芯全资子公司宇海电子年产能70万片6-8英寸碳化硅单晶衬底项目在包头发改委完成备案审批。项目总投资35亿元，占地270亩，年产能为70万片6-8英寸碳化硅单晶衬底。总建筑面积约12万平方米，包含碳化硅长晶炉、切磨抛加工及测试等相关设备设施。总建设周期三年，计划建设年限为2024年4月至2027年4月。

据了解，世纪金芯产品已覆盖6英寸、8英寸碳化硅衬底及其他第三代半导体材料研究。其6英寸碳化硅衬底已与国内几家头部外延及晶圆厂商达成订单合作，并与HT、ZDK完成多批次样品验证，还在与台湾HY、JJ、韩国GJ实验室、SX进行产品验证，与日本FG等进行8英寸衬底产品验证。

国碳半导体

国碳半导体成立于2020年，其碳化硅长晶技术研发工作始于1991年，是一家致力于碳化硅衬底晶体生长、加工及关键设备的技术开发、生产及销售的创新型企业。

公司创始团队兼具丰富的衬底材料研发经验和成熟的企业运营管理经验，6-8英寸碳化硅衬底研发项目已落地深圳市中清欣达膜技术研究院，并计划投资10亿元，在深圳新建年产24万片6寸碳化硅衬底生产线。

2022年10月，国碳半导体6英寸车规级碳化硅衬底项目在深圳正式投产。2023年11月，公司宣布已获得全球头部客户的Vendor Code，目前已锁定年产50万片的意向性产能需求。

该公司还表示，2023年11月，聘请了华兴泛亚投资顾问（北京）有限公司负责融资工作，本轮融资主要用于中山生产基地建设。

博蓝特半导体

博蓝特半导体成立于2012年，是一家快速成长的国家高新技术企业。公司拥有国际领先的光学、半导体制备工艺技术，利用先进的新型半导体材料加工设备开展GaN基LED芯片衬底及第三代半导体材料的研发及产业化。

2019年12月，博蓝特与金华经济技术开发区就年产15万片碳化硅衬底及200万片用于Mini/Micro-LED显示技术的大尺寸蓝宝石衬底研发及产业化合作项目签约。2020年7月，该项目开工奠基。

2022年2月，金华金投完成对博蓝特半导体的增资，合计融资规模3.65亿元。公司将加强研发投入，在巩固图形化衬底优势基础上，加快对第三代半导体材料的布局。

重投天科

重投天科成立于2020年，是一家专业从事第三代半导体碳化硅晶片研发、生产和销售的高新技术企业。重投天科由深圳市重大产业投资集团有限公司、天科合达、深圳市和合创芯微半导体合伙企业及产业资本出资构成项目实施主体。

2022年6月，重投天科发生工商变更，新增宁德时代等为股东，同时注册资本增至22亿元人民币，增幅达1275%。

晶格领域

晶格领域成立于2020年，是集碳化硅衬底研发、生产及销售于一体的创新型高新技术企业。该公司是国内首家以液相法为核心技术生长碳化硅晶体的企业，掌握具有自主知识产权的液相法生长碳化硅晶体技术，相比目前物理气相传输法生长技术（PVT法），该方法能有效提高晶体质量，降低生产成本，并能解决碳化硅衬底p型掺杂难以实现的产业化难题，对于推动宽禁带半导体产业发展具有重要意义。

该公司运营的液相法生长碳化硅半导体衬底项目是中科院物理所科技成果转化项目，分三期落地实施，计划总投资7.5亿元。一期投资5000万元，在中关村顺义园租赁厂房1050平方米，建设4-6英寸液相法碳化硅晶体中试生产线。2021年4月，其第一批设备全部进场，并开始试生产。

在晶体生长方面，该公司目前已成功生长出4-6英寸p型碳化硅晶体，晶体尺寸、晶体质量与厚度均处于国际领先水平。

盛新材料

盛新材料成立于2020年，是中国台湾为数不多可同时生产6英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底的厂商，在高品质长晶领域拥有技术优势。

据了解，2022年盛新材料的6英寸碳化硅衬底月产能仅为400片左右，之后又将碳化硅长晶炉的数量增加至65台，其中5台来自美国，10台来自日本，其余50台是与股东广运集团（Kenmec）合作自制，65台长晶炉月产能可达1200-1600片。

技术实力与市场竞争的双重考验

毋庸讳言，融资和上市是目前碳化硅企业发展的重要途径，融资与上市之路需要面对技术实力与市场竞争的双重考验。

融资不仅为企业提供了资金支持，更是对其技术实力和市场前景的认可。上述一些企业已完成了不同轮次融资，这无疑是对他们技术实力和市场潜力的肯定。

然而，上市并不是企业发展的终点，而是新的起点。上市意味着企业需要接受更为严格的监管和市场的考验。上市企业需要不断提升自身的核心竞争力和可持续发展能力，以满足客户的需求和投资者的期望。只有这样，企业才能在激烈的市场竞争中站稳脚跟，实现长期的商业价值。

即使是奔着上市去的，在实践中也未必能够成行，还是要把技术做到家，才能使企业的长期发展万无一失。