东吴证券:预计2025年中国IGBT市场空间将达到601亿元,复合年均增长率高达30%

IGBT行业深度报告:新能源驱动需求快速增长 国产替代迎来换挡加速



  IGBT兼具MOSFET输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和BJT通态电流大、导通压降低、损耗小等优点,被广泛应用在工业控制、新能源汽车、光伏风电、变频白电、智能电网以及轨道交通等领域。随着各个下游的快速发展,我们预计2025年中国IGBT市场空间将达到601亿元,CAGR高达30 %。其中,增速最快的细分市场是新能源汽车IGBT,预计2025年我国新能源汽车的IGBT需求将达到387亿元,CAGR高达69%。



  从市场格局上来看,外资IGBT厂商业务起步较早,先发优势明显,因此形成了当前IGBT市场被德国、日本和美国企业垄断的格局。目前全球IGBT前五大玩家为英飞凌、三菱、富士电机、安森美和赛米控,其中英飞凌在各个细分市场中都有较大的领先优势。与此同时,本土IGBT企业也在快速进步,技术上逐渐实现对国外领先企业的追赶,且在客户服务方面更具优势,能快速响应下游客户的需求,并且产品价格上相比于外资也有一定优势,有利于下游客户的降本。在目前IGBT下游快速发展,行业供需持续紧张的阶段,国产替代将迎来机会,优秀的本土IGBT企业有望在这一轮的行业快速发展中脱颖而出。



  碳化硅作为第三代半导体材料的代表具有优异的性能,基于其制成的功率器件相比于传统的硅基器件具有耐高压、耐高温、工作频率高、能量损耗低等优势。在车载领域,目前各大主机厂为了提高补能速度纷纷布局800V高压平台,高压平台的到来将推动碳化硅器件在车载领域的应用,尤其是主驱逆变器中采用碳化硅模块是电驱系统升级的核心。未来随着碳化硅器件的持续降本,与硅基器件的价差将逐渐缩小,其在新能源汽车电驱系统中的渗透率将持续提升。



  投资建议:目前下游新能源汽车和新能源发电等领域持续快速发展,IGBT行业持续维持高景气度;此外国内IGBT厂商加速国产替代,快速切入下游主机厂供应体系。推荐车规级IGBT模块及碳化硅功率器件企业斯达半导(603290.SH),建议关注时代电气(688187.SH)和士兰微(600460.SH)等相关上市公司。



  风险提示:下游新能源汽车、新能源发电等行业的发展不及预期;IGBT行业国产替代进程不及预期;碳化硅行业发展不及预期;行业竞争加剧。



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