Qorvo收购UnitedSiC

Qorvo 已收购位于新泽西州普林斯顿的联合碳化硅 (UnitedSiC)公司，这是一家碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商。收购 United Silicon Carbide 将 Qorvo 的影响力扩大到快速增长的电动汽车 (EV)、工业电源控制、可再生能源和数据中心电源系统市场。

在接受媒体采访时，Qorvo 可编程电源高级总监 David Briggs 和 United Silicon Carbide 前总裁兼首席执行官、现任 Qorvo 电源设备解决方案总经理 Chris Dries 分析了此次新收购的一些方面并市场影响。据 Dries 称，Qorvo 对 Active-Semi 的收购引发了其对电力电子领域的兴趣。现在的目标是通过利用 UnitedSiC 的化合物半导体制造提供一个巨大的多元化战略。

“可编程电源业务增长非常迅速，Qorvo 希望在电源领域占据更大的份额。此次收购加速了进入该领域的机会，并开始创建将我们的可编程性灵活性和模拟控制 IP 与 UnitedSiC 产品相结合的解决方案，为我们的客户创建端到端解决方案，”Briggs（布里格斯）说。

碳化硅（SiC）

UnitedSiC 已开发出采用共源共栅排列的 SiC，适用于需要常断器件的电力电子应用。功率 MOSFET 放置在共源共栅配置中的 JFET 顶部，并且将两者封装在一起以实现非常低的热阻。

United Silicon Carbide 提供的产品包括 SiC FET、JFET 和肖特基二极管器件。 JFET 结构是由 SiC 制成的最基本的开关。因为它没有栅极氧化物并且是一种单极传导器件，所以它避免了与 MOSFET结构相关的一些缺点。新发布的第四代 SiC FET 的最大工作电压为 750 V，RDS (on) 为 5.9 毫欧，使众多行业能够实现新的效率水平。

改进的开关和 RDS(on) 允许电动汽车中更强大的新应用，例如牵引驱动和车载和非车载充电器，以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器、和一般的 AC/DC 或 DC/DC 电源转换设备等。

新的机会

两家公司的综合经验使他们能够在汽车解决方案方面提供一定的差异化。 “碳化硅（SiC）提供的架构提供了一个机会来区分我们可以为整体电源架构创建的解决方案和控制机制的类型。目标是在安全和控制以及优化整体系统性能方面为我们的客户带来附加值。因此，这些将是我们在推进合并过程中探索的内容，”Briggs（布里格斯）说。

SiC 正在增长，并将越来越多地参与与 IGBT 的竞争中，直到成为唯一的参与者。快速增长确实降低了成本。 “我们刚刚发布了第四代设备，其芯片尺寸缩小了 30% 到 50%，进一步降低了解决方案的成本。然后，当您考虑从碳化硅逆变器获得的效率优势时，更有理由考虑这个机会。我的观点是，到本世纪这个十年末，碳化硅可能会开始在更高功率的汽车中占据主导地位，”德里斯说。

Briggs 补充道：“IGBT 将会出现，它们不会轻易让位给 SiC，但最终碳化硅的效率、性能和可靠性将很快接管并占据大部分的市场份额。”

出于这个原因，拥有良好的供应链很重要，据 UnitedSiC 称，确保基板和外延的多元化供应可以确保市场领先地位。 “在不同的外延供应商和基板供应商之间，我们有大约五个不同的合格供应链。我们看到了竞争，我认为这足以降低成本，”德里斯说。

确保参考设计解决方案非常重要，以便提供简单的设计机会并缩短上市时间。这将加速所有习惯于仅使用 IGBT 解决方案的设计人员采用 SiC。Qorvo 的发言人表示，参考设计是利用 Qorvo 中已有的工程能力的好方法。正如 Briggs 所说，提供完全集成的解决方案，而不仅仅是分立半导体，是一个增长机会。

“我们目前正在研究太阳能逆变器设计，预计碳化硅将成为太阳能装置和储能系统的核心，”Dries 说。

“我们将关注的是我们如何能够帮助进一步提高能源效率。这完全是关于效率以及如何最大限度地提高效率，因此这将与我们的技术相结合，我们将看到我们如何为该问题创建更好的解决方案和市场空间，”布里格斯（Briggs ）说。

SiC FET 通常用于功率转换、电路保护和电机驱动。 据 UnitedSiC 称，所描述的许多应用都有一个共同特征，即栅极驱动特性与其他器件（如 MOSFET 和 IGBT）兼容，从而使其易于集成到现有设计中。

将 UnitedSiC 的解决方案添加到 Qorvo 的产品组合中后，将涵盖新兴市场的许多应用，主要与能源相关。 UnitedSiC 和 Qorvo 强调了继续以可扩展性和速度构建业务的机会，以加速 SiC 的采用，从而提高可支持电动汽车部署的动力总成解决方案的效率。