10月17日，国电南瑞发布公告称，为加快公司产业链延伸和产业升级，增强企业核心竞争力，提高募集资金使用效率和效果，降低募投项目投资风险，公司拟与国家电网有限公司(以下简称“国网公司”)下属科研单位全球能源互联网研究院有限公司(以下简称“联研院”)共同投资设立南瑞联研功率半导体有限责任公司(以工商部门核准名称为准，以下简称“合资公司”)，其中国电南瑞以“IGBT模块产业化项目”部分募集资金55,864.45万元出资，占合资公司69.8305625%股权，联研院以技术作价出资24,135.55万元(该出资技术的评估值已经国有资产管理单位备案)，占合资公司30.1694375%股权。上述事项将增加“IGBT模块产业化项目”的实施主体暨对外关联投资，相关募集资金用途、建设内容、地点等不变。

　　据披露，IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是国家产业政策重点支持发展的功率半导体器件，技术难度大、研发及产线建设周期长、资金投入大,核心技术一直被国外企业垄断，目前国内高端人才缺乏，国内仅有少量厂商开展高压IGBT研制业务。

　　联研院是国网公司直属科研单位，国内首家专业从事全球能源互联网关键技术和设备开发的高端科研机构。联研院于2010年开始研究功率半导体器件，拥有100多人的技术团队和先进的功率器件中试线，是国内少数掌握高压IGBT芯片设计技术的单位之一。在功率半导体器件领域，联研院承担国家科技重大专项(02专项)“国产高压大功率IGBT模块电力系统应用工程”等攻关任务，自主研发了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件，其中3300V/1500A压接式和焊接式IGBT器件，掌握成套的设计、制备等核心技术，打破了国外技术垄断，成功研制1200V至6500V碳化硅二极管样品，实现了新一代电力电子器件的重大创新突破。

　　联研院技术出资范围包括1200V焊接型、1700V焊接型、3300V焊接型及压接型、4500V焊接型及压接型IGBT和FRD芯片的设计、工艺、测试等整套的技术交底文件和资料、专利等知识产权;1200V焊接型、1700V焊接型、3300V焊接型IGBT模块的材料清单、设计和工艺、原理与应用、模块测试报告及典型应用示例等技术交底文件和资料、专利等知识产权。芯片工艺线建设和封装线建设的技术经验等。

　　国电南瑞表示，通过与联研院合作，有利于公司降低IGBT等功率器件技术研发及产品批量化生产的风险，保障中低压、加快高压IGBT等功率半导体芯片及模块研制和产业化进程。为加快公司产业链延伸和产业升级，增强企业核心竞争力，提高公司募集资金使用效率和效果，降低公司募投项目投资风险，公司拟以“IGBT模块产业化项目”部分募集资金出资与联研院共同设立合资公司，并增加合资公司为该项目的实施主体。

　　公告显示，经中国证券监督管理委员会《关于核准国电南瑞科技股份有限公司向南瑞集团有限公司等发行股份购买资产并募集配套资金的批复》(证监许可[2017]2224号)核准，公司以非公开发行股份方式向7名特定投资者发行了人民币普通股381,693,558股，发行价格为15.99元/股，本次发行募集资金总额为6,103,279,992.42元，扣除各项发行费用83,239,359.91元，实际募集资金净额为6,020,040,632.51元。上述募集资金已于2018年4月8日全部到位。

　　“IGBT模块产业化项目”是上述募集资金投资项目之一，项目原计划全部由国电南瑞母公司实施，项目投资总额为164,388万元，项目建设期42个月，项目投产后第7年达到本项目预计的生产能力，该项目税后内部收益率为14.94%，静态回收期为8.12年。截止2019年8月31日，该项目已累计使用募集资金2,370.53万元，占总投资1.44%，剩余募集资金162,017.47万元(不含利息)。

　　国电南瑞表示，本次交易有利于募集资金投资项目的运作和实施、提高募集资金的使用效率、加快募集资金投资项目的实施进度，降低投资风险，尽快实现投资效益，符合公司未来发展的规划。不存在变相改变募集资金投向、资金用途、投资金额和损害股东利益的情况，不会对项目实施造成实质性影响。所涉关联交易客观公允，不存在损害上市公司及公司全体股东利益的情形。

　　

　　资料显示，国电南瑞是以能源电力智能化为核心的能源互联网整体解决方案提供商，是我国能源电力及工业控制领域卓越的IT企业和电力智能化领军企业。