江苏能华的"科能芯"系列由在氮化镓功率外延片、器件设计、工艺流程及封装技术领域有着卓越专业贡献一批同路人开创的，它还拥有世界最顶端水平的氮化镓功率器件系统的研发、生产能力以及制造工艺。

　　外延片

　　CEESCH-GaN

　　厚的半绝缘GaN层基板材料和直径的选择。产品是适合加工肖特基氮化镓整流器。

　　CEEFET-20AlGaN-NoSiN

　　GaN HEMT的结构与20%的AlGaN势垒罪基板材料和直径的选择没有任何原位钝化层。此产品适用于处理HEMT的开关。

　　CEEFET-23AlGaN-NoSiN

　　GaN HEMT的结构与23%的AlGaN势垒罪基板材料和直径的选择没有任何原位钝化层。此产品适用于处理HEMT的开关。

　　CEEFET-26AlGaN-NoSiN

　　GaN HEMT的结构与26%的AlGaN势垒罪基板材料和直径的选择没有任何原位钝化层。此产品适用于处理HEMT的开关。

　　CEEFET-20AlGaN-SiN

　　GaN HEMT的结构与20%的AlGaN势垒和原位氮化钝化层基板材料和直径的选择。此产品适用于处理HEMT的开关。

　　CEEFET-23AlGaN-SiN

　　GaN HEMT的结构，23%的AlGaN势垒和原位氮化钝化层基板材料和直径的选择。此产品适用于处理HEMT的开关。

　　CEEFET-26AlGaN-SiN

　　GaN HEMT的结构与26%的AlGaN势垒和原位氮化钝化层基板材料和直径的选择。此产品适用于处理HEMT的开关

　　Custom

　　基板材料和直径的选择所需的氮化镓，氮化铝镓和AlN层的组合组成的自定义的外延层。铁或氮掺杂GaN缓冲层可以减少缓冲区漏电流。 Mg掺杂和含合金是目前无法使用。

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