金融界网站讯，氮化镓板块快速拉升，士兰微、华灿光电、星徽精密等概念股涨停。

氮化镓好在哪？

随着手机屏幕的增大和处理器性能的增加，对手机本身的电量储备和充电时间也提出了高要求。如何“又快又好”成为了手机续航的重要问题。

我们看到，无论是iQOO的120W快充方案，还是OPPO125W快充方案，都应用到了电荷泵技术，它的原理是通过电容对电荷的积累效应而产生高压，使电流由低电势流向高电势。简单来说就是在充电的时候使用“高电压、大电流”的方式，来提高充电功率。

这时候，充电器的功率也随之增大，尤其是对于大功率的快充充电器，使用传统的FET功率开关无法改变充电器的现状。但相比硅材料，氮化镓（GaN）是一种极稳定的化合物，它的坚硬性好，熔点高，电离度高，并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平，能够应用于更小的元件，应用于充电器时可以有效缩小产品尺寸。

相比传统充电器，它有哪些优势？

1、充电效率高。氮化镓的带隙比硅高得多，这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片，从而可以更快地进行处理，充电更快。

2、散热快。氮化镓与前两代的半导体相比，禁带宽度大、导热系数更高。而且可在200以上的高温下工作，能承载更高的能量密度，可靠性高，能够将过度充电的可能性最小化。

3、体积小。氮化镓材料本身优异的性能，使得做出来的氮化镓比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化镓芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基。此外由于使用氮化镓芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。