氮化镓充电器成手机厂商追逐的新焦点 板块大涨 士兰微、华灿光电、星徽精密等概念股涨停

金融界网站讯,氮化镓板块快速拉升,士兰微、华灿光电、星徽精密等概念股涨停。

氮化镓好在哪?

随着手机屏幕的增大和处理器性能的增加,对手机本身的电量储备和充电时间也提出了高要求。如何“又快又好”成为了手机续航的重要问题。

我们看到,无论是iQOO的120W快充方案,还是OPPO125W快充方案,都应用到了电荷泵技术,它的原理是通过电容对电荷的积累效应而产生高压,使电流由低电势流向高电势。简单来说就是在充电的时候使用“高电压、大电流”的方式,来提高充电功率。

这时候,充电器的功率也随之增大,尤其是对于大功率的快充充电器,使用传统的FET功率开关无法改变充电器的现状。但相比硅材料,氮化镓(GaN)是一种极稳定的化合物,它的坚硬性好,熔点高,电离度高,并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平,能够应用于更小的元件,应用于充电器时可以有效缩小产品尺寸。

相比传统充电器,它有哪些优势?

1、充电效率高。氮化镓的带隙比硅高得多,这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片,从而可以更快地进行处理,充电更快。

2、散热快。氮化镓与前两代的半导体相比,禁带宽度大、导热系数更高。而且可在200以上的高温下工作,能承载更高的能量密度,可靠性高,能够将过度充电的可能性最小化。

3、体积小。氮化镓材料本身优异的性能,使得做出来的氮化镓比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小,同时由于更耐高压,大电流,氮化镓芯片功率密度更大,因此功率密度/面积远超硅基。此外由于使用氮化镓芯片还减少了周边的其他元件的使用,电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多,也进一步缩小了体积。


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