为降低电源系统的耗电量、缩小其体积做出贡献

　　开始发售功率半导体「1200V SiC-SBD」

　　近日，三菱电机株式会社发布了1200V Si-SBD(碳化硅肖特基二极管)，该产品有利于降低太阳能发电系统、EV充电器等系统的损耗和体积。预计将于2019年6月提供样品，2020年1月开始发售。本产品将在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”(4月17日～19日于日本幕张举行), “PCIM Europe2019展”(5月7～9日于德国纽伦堡举行), “PCIM※1 Asia2019展”(6月26～28日于中华人民共和国上海举行)上展出。

　　※1　Silicon Carbide：碳化硅

　　※2　Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管

　　

 

　　新产品的特点

　　1.通过采用SiC，有利于降低系统损耗和体积

　　・通过使用SiC大幅降低开关损耗，降低约21%的电力损耗※3

　　・实现高速开关，有利于缩小电抗器等配套零部件的体积

　　※3 与内置PFC电路的三菱电机产品功率半导体模块“DIPPFCTM”上搭载的Si(硅)二极管相比

　　2.通过采用JBS结构，提高可靠性

　　・采用pn结与肖特基结相结合的JBS※4结构

　　・通过JBS结构提高浪涌电流耐量，从而提高可靠性

　　※4　Junction Barrier Schottky

　　3.由5个产品构成的产品阵容可对应各种各样的用途

　　・除了通常的TO-247封装外，还采用了扩大绝缘距离的TO-247-2封装

　　除民用品外还可对应工业等各种各样的用途

　　・产品阵容中还包括符合AEC-Q101※5的产品(BD20120SJ)，也可对应车载用途

　　※5　Automotive Electronics Council：车载电子零部件质量规格

　　发售概要

　　

 

　　销售目标

　　近年来，出于节能环保的考虑，人们对能够大幅降低电力损耗或利用SiC实现高速开关的功率半导体的期待逐渐高涨。三菱电机自2010年起陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半导体模块，广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等，为降低家电及工业机械的耗电量，缩小其体积和重量做出了贡献。

　　在这一背景下，此次将发售采用了SiC的功率半导体“SiC-SBD”。在电源系统中应用“SiC-SBD”，将为降低客户的系统耗电量，缩小体积做出贡献。

　　本产品的开发得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

　　※6　Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ

　　主要规格

　　

 

　　※7　8.3msec, sine wave

　　SiC-SBD系列的产品阵容

　　

 

　　粗框内为本次的新产品。