赛晶品牌IGBT等多项产品亮相PCIM Asia 2021

9月9日,电力电子元器件领域国内影响力最大的行业展会PCIM Asia 2021在深圳隆重召开。赛晶科技携自主技术IGBT芯片及模块、层叠母排、数字式IGBT驱动、固态开关、阻抗测量等产品参展,受到广大与会者的高度关注和热烈反响。



赛晶参展的i20+D20 芯片组,以及ED-Type、EV-Type模块等IGBT系列产品,采用了国际领先的设计理念和制造工艺,各项性能达到和超过国内外同业水平。




 

i20 芯片组(1200V/250A)

采用正面精细沟槽+背面场截止设计,采用N型增强、窄台面、短沟道、超薄基底、优化P+、3D结构等多项行业前沿的设计和工艺,带来了高达250A的卓越性能。

ED-Type模块(1200V/750A)

采用优化的直线布局,大幅提升了内部均流表现。结合优异的制造工艺和严选的原材料,带来了超低的损耗性能和国际一流水平的性能和可靠性。

EV-Type模块及组件

采用单面冷却设计,实现了极高的电流密度、较低过冲电压、极低的导通压降。优异的SiN基板,提供了非常低的热阻和出色的功率循环能力内部热敏电阻完成封装。此外,针对均衡分流的优化,带来了低损耗和高可靠性。




 


不仅如此,赛晶还带来“数字式IGBT驱动器”、“层叠母排”等功率半导体配套器件,以及“阻抗测量”、“固态开关”等国际前沿性电力电子技术产品。

在全球巨头林立的PCIM Asia 2021,赛晶自主技术IGBT芯片和模块等众多产品,凭借国际一流的技术水平和卓越的性能表现,赢得业内专家和客户的一致认可和高度赞誉。


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