9月9日，电力电子元器件领域国内影响力最大的行业展会PCIM Asia 2021在深圳隆重召开。赛晶科技携自主技术IGBT芯片及模块、层叠母排、数字式IGBT驱动、固态开关、阻抗测量等产品参展，受到广大与会者的高度关注和热烈反响。

赛晶参展的i20+D20 芯片组，以及ED-Type、EV-Type模块等IGBT系列产品，采用了国际领先的设计理念和制造工艺，各项性能达到和超过国内外同业水平。

 

i20 芯片组（1200V/250A）

采用正面精细沟槽+背面场截止设计，采用N型增强、窄台面、短沟道、超薄基底、优化P+、3D结构等多项行业前沿的设计和工艺，带来了高达250A的卓越性能。

ED-Type模块（1200V/750A）

采用优化的直线布局，大幅提升了内部均流表现。结合优异的制造工艺和严选的原材料，带来了超低的损耗性能和国际一流水平的性能和可靠性。

EV-Type模块及组件

采用单面冷却设计，实现了极高的电流密度、较低过冲电压、极低的导通压降。优异的SiN基板，提供了非常低的热阻和出色的功率循环能力内部热敏电阻完成封装。此外，针对均衡分流的优化，带来了低损耗和高可靠性。

 

不仅如此，赛晶还带来“数字式IGBT驱动器”、“层叠母排”等功率半导体配套器件，以及“阻抗测量”、“固态开关”等国际前沿性电力电子技术产品。

在全球巨头林立的PCIM Asia 2021，赛晶自主技术IGBT芯片和模块等众多产品，凭借国际一流的技术水平和卓越的性能表现，赢得业内专家和客户的一致认可和高度赞誉。