IGBT模块在新能源汽车中主要应用于汽车驱动和充电桩上，作为高功率开关使用。EV/HEV汽车用IGBT等大功率的电力电子器件不仅对性能指标要求高，对可靠性的要求更为严苛，这给核心部件IGBT提出了巨大的挑战。近年来，在国家新能源汽车政策的牵引下，电动汽车的需求不断增长，市场规模巨大，发展渐呈井喷之势。作为EV/HEV电驱动系统的关键元件，IGBT器件及相关技术已成为世界各大功率半导体公司的研发热点，被广泛用于电机控制、电池充电和低压辅助控制等系统中。

　　株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部推出适用于电动汽车的600A/1200V半桥型IGBT模块TG600HF12M1，该汽车IGBT模块装载了沟槽栅场终止技术1200V IGBT芯片和软关断续流二极管FRD芯片，连续集电极直流电流600A，工作结温150℃，最大结温175℃，集成NTC;采用铜线键合，具有更高的温度循环能力和功率循环能力。

 

　　TG600HF12M1模块关键参数如下：

 

　　TG600HF12M1模块产品具有较大的安全工作区，其中短路安全工作区(SCSOA)具备6倍以上额定电流(@Vge=18V，15µs)的耐受能力;反向偏置安全工作区(RBSOA)具备关断4倍以上额定电流能力;具有4500A的短路电流能力，可满足电动汽车电机控制器应用需求。

　　半导体事业部是株洲中车时代电气股份有限公司(香港上市，HK3898)下属的核心业务单位，经过多年的潜心研究，目前已建立起汽车用沟槽栅IGBT设计-工艺-封测的完整体系，可支撑当前主流IGBT芯片(沟槽+场截止+载流子存储技术)的开发，并全面掌握了汽车级模块超声键合、铜线键合、双面焊接等关键封装技术。半导体事业部致力于以一流的产品解决方案为广大新能源汽车客户服务，成为电动汽车行业半导体器件首选供应商之一。