第三代半导体,全球必争之地
近年来,第三代半导体成为我国重点鼓励的对象,为促进第三代半导体行业的发展,国家鼓励政策频发,地方积极响应。
2020年,我国各地方发布第三代半导体相关政策16条,覆盖了12个省(含直辖市)。从2020年各省市发布的相关政策来看,虽然2020年度没有颁布专项政策,但第三代半导体作为半导体产业的重点方向,得到了各省市的系统布局和重视。
2021年,浙江、山西、东莞等地近期先后发布“十四五”规划和相关政策,点名着重发展第三代半导体。
浙江:
开展第三代半导体知识产权攻关
6月28日,浙江省发展改革委、省市场监管局印发《浙江省知识产权发展“十四五”规划》(简称《浙江规划》)。《浙江规划》提出了十大工程,其中提及集成电路、芯片等内容。《浙江规划》中提出,要在加快集成电路产业链发展,开展第三代半导体芯片、专用设计软件、专用设备与材料、关键射频器件、高端光器件等关键领域知识产权攻关,加快毫米波芯片、太赫兹芯片、云端一体芯片的知识产权布局储备,有效化解产业链风险。
山西:
打造第三代半导体全产业链基地
日前,《山西省“十四五”新装备规划》(简称《山西规划》)发布,《山西规划》中提出,重点发展砷化镓第二代半导体、碳化硅与氮化镓第三代半导体等产品生产及检测装备,提高半导体工艺及产品良品率。进一步延伸发展智能终端、集成电路、新型显示、智能传感器等电子产品,实现电子信息装备制造业智能化发展。积极引入上游装备制造以及下游器件设计、封装和应用企业,打造国际有影响力的第二代及三代半导体全产业链产业基地。
东莞:
重点发展第三代半导体材料
5月31日,东莞市人民政府印发《东莞市国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》(以下简称《规划纲要》)的通知。根据《规划纲要》,东莞将大力培育新兴产业。加快培育新材料、新能源、生命健康、人工智能、数字经济、海洋经济等新兴产业,重点发展第三代半导体材料、电子新材料、高性能功能陶瓷和硬质合金等结构材料和功能材料等前沿新材料产业。
广东:
积极发展第三代半导体、高端SOC
4月25日,广东省人民政府发布《广东省国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》(以下简称《十四五规划纲要》)。《十四五规划纲要》提出,加强产业技术创新平台建设。聚焦未来通信高端器件、新型显示技术、第三代半导体、干细胞、体外诊断、医疗器械、新材料等优势领域。
珠海:
将打造华南第三代半导体示范区
4月21日,珠海政府网全文发布了《珠海市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》。规划提出要打造华南地区第三代半导体发展示范区,做强软件和集成电路设计省级战略性新兴产业基地和软件产业国家高技术产业基地。
广西:
谋划布局第三代半导体未来产业
近日,《广西壮族自治区国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》(以下简称《十四五规划》)印发。《十四五规划》指出,十四五期间,为培育发展战略性新兴产业和未来产业,广西将超前布局未来产业。谋划布局生物工程、第三代半导体、人工智能、量子信息、氢能与储能等未来产业,积极培育“蛙跳”产业。
上海临港:
支持第三代半导体和工艺线建设
SENSINGEWORLD
3月3日,上海临港新片区发布《中国(上海)自由贸易试验区临港新片区集成电路产业专项规划(2021-2025)》(下文简称为《规划》)。《规划》中表示目标是到2025年,形成新片区集成电路综合性产业创新基地的基础框架。《规划》中提出推动化合物半导体产业实现由国内引领向国际领先跨越。推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设,面向5G、新能源汽车等应用场景,加快化合物半导体产品验证应用。
内蒙古:
碳化硅等新材料用电列入优先交易范围
2月4日,内蒙古发改委、工信厅发文,对部分行业电价政策和电力市场交易政策进行调整。其中提到,符合产业政策的大数据中心、光伏新材料及应用(单晶硅、多晶硅、晶体切片、组件等)、稀土新材料及应用、半导体材料(电子级晶体材料、碳化硅等)行业生产用电及新能源汽车充电站、5G基站(包括配套机房、核心枢纽机房)、电供热等设施用电列入优先交易范围。
应用市场广阔前景
第三代半导体是材料的变更并非是升级换代,第三代半导体使用的主要材料为碳化硅、氮化镓,这将更适合用于一些高温、高频以及抗辐射的设备中。
据Yole数据显示,到2020年底,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的全球市场将增长到 8.54 亿美元,其中,碳化硅(SiC )市场规模约为 7.03 亿美元,氮化镓(GaN)市场规模约为1.5亿美元。到2025年碳化硅(SiC)市场规模将超过30亿美元,氮化镓(GaN)市场规模将超过6.8亿美元。
第三代半导体是一个“新领域”,在实际应用中也占据着十分重要的地位,在军事、新能源和高频通信等领域都有重要作用和巨大的应用潜力,尤其是在新能源汽车和5G领域,我国是该领域中市场应用最大的国家,有着广泛的市场前景。
我国在SiC、GaN等第三代半导体功率器件方面紧跟世界前沿,其相关标准的研究和制定也是近几年半导体材料领域的热点。据专业研究机构统计,目前第三代半导体现行国家标准和行业标准共18项(产品标准3项),SiC材料现行6项国家标准和7项行业标准;GaN材料现行5项国家标准。