近期，工业和信息化部公开征求对《新型储能制造业高质量发展行动方案（征求意见稿）》的意见，征求意见稿提及，聚焦系统结构设计、精细化电池管理、大功率高效变流器开发、高效热管理和能量管理、辅助设备集成、高性能预制舱等技术开展集中攻关，提高先进功率半导体、智能传感器、电源管理芯片等关键核心部件供给能力。其中，功率半导体被提及，引发关注。以下将以时间顺序梳理一下近一个月来碳化硅（SiC）市场、合作、应用和新产品发布的动态变化情况。

市场预期尚可

综合Yole和Trendforce的数据，2023年全球SiC、氮化镓（GaN）功率电子市场规模达到了约30.7亿美元，其中电动和混合动力汽车（EV/HEV）市场占比高达70%，成为该领域的核心驱动力。据Yole预测，全球功率半导体器件市场将迎来快速增长，从2023年的约230亿美元增至2028年的333亿美元，其中SiC和GaN功率电子总体市场占比有望达到32%，市场规模约109.5亿美元。

在国内市场，CASA Research统计显示，2023年SiC、GaN功率器件模组市场规模约为153.2亿元，同比增长45%。第三代半导体在功率电子领域的渗透率已超过12%，进入高速增长阶段。在国内，新能源汽车（包括充电基础设施）是第三代半导体功率电子的最大应用领域，市场占比高达70.67%，消费类电源和PFC分别占比11.16%和5.78%。

10月中国新能源车市场零售119.6万辆同比增逾五成。乘联分会公布国内乘用车市场最新统计数据显示，10月国内新能源车零售渗透率52.9%。中国汽车工业协会称，我国新能源汽车年产量首次突破1000万辆，同时也是全球首个新能源汽车年度达产1000万辆的国家。专家预计，这一数字到年底还有望超过1200万辆。

关于SiC价格，世界先进董事长方略指出，SiC芯片代工领域并未出现降价趋势。他说，近期SiC降价主要发生在衬底端，而代工的制程端价格保持稳定。高昂的衬底成本是SiC价格居高不下的主因，尽管衬底市场产能过剩导致价格下降，但代工环节的成本并未因此减少。方略还提到，SiC尚未广泛应用8英寸晶圆，限制了成本效益。不过，衬底降价有助于扩大SiC应用，对晶圆代工厂是利好。此外，8英寸晶圆厂在技术和设备上有明显优势，而12英寸晶圆厂短期内不太可能进入化合物半导体领域。

大兴土木加开业投产

美国阿肯色大学电气工程系获美国能源部近100万美元奖金，用于研究更小、更可靠的电动汽车快速充电站。研究团队计划开发SiC高压电源模块原型，将电压提升至15千伏以上，以缩小充电器体积。该项目将与橡树岭国家实验室合作，未来有望提高电网效率。

泰国将建首个SiC晶圆工厂，投资3.5亿美元，预计2027年投产。该工厂由Hana Microelectronics和PTT Group合资的FT1 Corporation建设，采用韩国技术生产6、8英寸晶圆，以满足汽车、数据中心和储能市场需求。泰国投资委员会秘书长9月20日视察项目进展，强调泰国中立地缘政治、低成本、基础设施完善及熟练劳动力等优势，进一步巩固了泰国作为半导体投资目的地的吸引力。

韩国SK Siltron获美国能源部4.815亿美元（约35亿人民币）贷款，用于扩大其在美车规级SiC晶圆制造。SK Siltron在密歇根州拥有两家SiC工厂，正扩建第二家，预计2025年完成，届时6英寸SiC衬底年产能将达50万片。今年1月，SK还与英飞凌签SiC晶圆供应协议，支持其产能扩充，并计划向8英寸过渡。此举将加速全球SiC材料市场竞争。

四川内江市生态环境局公示，奥通碳素（内江）科技有限公司拟建年产2000吨等静压石墨及0.12吨SiC晶锭项目，总投资1.5亿，租赁7800平米厂房。项目含磨粉、混捏等生产线及拉晶线，焙烧和石墨化委外，现进行环评报告表批复公示。

江苏超芯星半导体有限公司的“SiC衬底关键技术研发及产业化项目”已竣工验收并稳定运营。该项目位于南京江北新区，年产3万片SiC衬底，总投资3亿元。因原厂房规模不足，项目迁建至集成电路产业化基地，现已竣工并试生产成功。

晶瑞电子在宁夏银川的“SiC衬底晶片生产基地项目”已通过水土保持验收，占地17.94公顷，总投资33.6亿，预计年产40万片6英寸及以上SiC衬底。项目于2022年4月启动，计划2024年12月完工，现部分区域正绿化，属晶盛机电控股。

苏州晶瓴半导体有限公司“高质量SiC异质晶圆研发新建项目”已竣工并验收。该项目总投资2450万元，位于苏州工业园区，租赁1000平方米房屋。晶瓴半导体成立于2023年7月，拥有核心技术，已完成种子轮融资，正为量产8英寸SiC晶圆做准备，预计2025年底实现量产。

合肥钧联汽车电子一期项目竣工，总投资5000万元，位于合肥经开区，租赁面积3528m²，建设电机控制器/电驱动生产线，预计年产电机控制器20万台、电驱动总成10万套。同时，钧联与博世深入交流，推动SiC芯片应用。自研800V SiC电驱总成已上车创维EV6 II。

晶驰机电半导体材料研发生产项目投产仪式在正定举行，该项目专注三代、四代半导体材料装备研发，核心产品为金刚石与SiC外延设备。项目落成后，将吸引上下游产业链入驻正定，对促进当地高质量发展具有重要示范意义。

鼎龙（仙桃）新材料有限公司年产万吨纳米研磨粒子项目一阶段已验收。该项目2022年规划，总投资2.7亿（一阶段1.4亿），征地88057.56m²，建设内容包括洁净车间、仓库等设施。现已建成1条高纯纳米研磨粒子、4条半导体用纳米研磨粒子生产线，年产各5000吨，完成一阶段环保验收。

北一半导体投资20亿元，在穆棱经济开发区建设晶圆工厂项目。项目一期占地2.7万平方米，建筑面积达3万平方米，引进国际先进的6英寸晶圆生产线，预计年产6英寸晶圆100万片。该项目的实施将填补黑龙江省功率半导体晶圆制造产业的空白，并推动北一半导体成为国内领先的功率半导体IDM全产业链生产基地。

天科合达宣布二期项目开工，旨在打造领先智能化生产线，量产8英寸SiC衬底，提升产能，巩固市场地位。公司产品已达国际先进水平，畅销20多国，是少数进入国际知名企业的高端技术产品。二期项目将推动技术进步，优化生产流程，降低成本，为公司注入新动力。

山西华芯半导体晶体材料产业基地二期基建竣工，设备即将安装。作为省重点工程，该项目致力于半导体晶体材料的研发、加工与销售，二期将聚焦多种半导体材料研发生产，包括大尺寸蓝宝石及第三四代半导体化合物晶体。项目全面建成后，预计年产半导体晶片衬底720万片，为山西省半导体产业链发展注入新活力，推动产业升级。

康佳子公司康佳芯云专注存储领域，总投资20亿项目占地100亩，分两期实施，一期投资10亿用于存储芯片封测。康佳芯云加强与高校合作，投入500万拓展产品线，计划实现材料和测试设备国产化替代，减少外部依赖。公司致力于技术创新和市场拓展，构建核心竞争力，为客户提供安全可靠的半导体解决方案，为国内半导体产业自主创新贡献力量。

六方科技计划投资8000万元，将原有建设内容整体搬迁至三马厂区，并租用新厂房扩建SiC和TaC生产线。项目完成后，三马厂区将年产SiC涂层石墨载盘3000套，西子厂区年产SiC涂层3900套、TaC涂层14000套。

江苏汉印机电计划在盐城高新技术产业开发区投资1.2亿元，租赁18450平方米厂房，引进50余套设备，建设SiC外延CVD设备研究和试验项目，已取得备案。此前，汉印机电已投资10亿元，启动半导体装备项目，新上40台（套）设备，可年产20万片SiC外延片。

宝士曼第三代半导体及集成电路专用设备研发生产项目一期主体完工，预计2025年3月投产。项目占地50亩，建面7.5万平米，总投资10亿元，2024年计划投资3.5亿元。项目建成后年产半导体封装设备250套，年产值预计8.5亿元。

珠海奕源半导体材料产业基地项目总投资约100亿元，于金湾区半导体产业园开工。该项目由北京奕斯伟集团打造，集研发、生产、销售于一体，整体规划267亩，分两期建设，一期预计2026年2月投产。核心产品包括SiC功率模组载板等半导体关键材料。

专注于车规级SiC制造及模组封装一站式系统解决方案的芯联动力近期发生工商变更，新增18家股东，包括北京小米智造股权投资基金合伙企业、先进制造产业投资基金二期、浙江省产业基金有限公司及东风汽车旗下信之风股权投资基金合伙企业等。此次变更后，芯联动力的注册资本由5亿人民币增加至约6.6亿人民币。

中车转型升级基金投资常州科瑞尔科技，该公司是功率半导体核心封装设备制造商，具备IGBT模块自动化产线设计和单站核心设备研发能力，产品获国内外头部厂商认可。科瑞尔自主研发了包括SiC倒装贴合设备在内的十几种核心设备，并已在今年6月完成A+轮融资，投资方为常高新集团。

臻驱科技旗下新能源汽车用电机控制器项目投产仪式在安徽省芜湖市繁昌经济开发区举行。该项目的投产标志着臻驱科技在新能源汽车电机控制器领域的产业化能力得到进一步提升，此项目作为臻驱科技提升产业化能力的核心环节，未来将肩负起包括奇瑞在内的一流整车厂的量产配套重任。

温岭半导体孵化园迎来晶能微电子车规级半导体封测基地二期动工。自2023年5月签约，一期Si/SiC器件生产线7月投产，预期产值逾2亿。二期新增研产销一体设施，一期生产线将迁移，目标2026年竣工。

常州银芯微功率半导体新模块代工厂于新北区盛大启幕。该工厂专注于IGBT与碳化硅功率模块研发生产，覆盖多类型模块封装，如34mm/48mm/62mm半桥、PM、EconoDual、HPI、HPD等。占地约4000平米，月产达20万只。银芯微，2024年成立，银河微电与上海陆芯合资。

晶驰机电半导体材料装备研发生产基地在嘉兴隆重揭幕,预计满产年营收1.4亿。成立于2023年的晶驰机电，主营6/8英寸碳化硅LPCVD、金刚石MPCVD设备，氮化铝、碳化硅、氧化镓晶体生长装置，及相关热处理设备。此外，晶驰在石家庄亦有研发生产基地，11月初启动，专注金刚石与碳化硅设备，致力于第三代、四代半导体材料全产业链发展。

Vishay正加速英国纽波特8英寸SiC工厂建设，首期投资5100万英镑（约4.65亿人民币）。2023年11月，Vishay以1.77亿美元收购安世半导体8英寸硅晶圆厂，转型为SiC/GaN基地，助推SiC MOSFET商用。已确认5100万英镑作为一阶建设计划，含威尔士政府500万英镑资助。

业绩有喜有忧

SiC芯片大厂Wolfspeed宣布CEO Gregg Lowe辞职，以应对电动汽车和工业、能源市场需求放缓。此举旨在推动公司长期发展。同时，Wolfspeed计划关闭一家工厂，裁员约1000人，并放弃德国建厂计划，以降低成本。这预示着SiC要赚钱还有很长的路要走。              

 Wolspeed发布2025财年Q1财报，营收约1.95亿美元，净亏损收窄28.68%。SiC业务在汽车领域显著增长，Design-ins达15亿美元，Design-wins达13亿美元，70%订单来自电动汽车平台。汽车业务收入同比增长2.5倍，预计2025年将继续增长75%。晶圆生产方面，8英寸莫霍克谷晶圆厂收入首次超过6英寸晶圆厂，贡献近4900万美元。负面信息是，Wolfspeed预测第二财季收入低于预期，计划关闭美国6英寸SiC工厂并裁员1000人，占员工总数的20%，以应对汽车客户需求低迷。Wolfspeed欧洲芯片项目或将受挫。德国汽车零部件巨头采埃孚有意撤资，拟退出与Wolfspeed合作的30亿美元德国芯片厂项目。半导体需求疲软致Wolfspeed暂停项目，并质疑欧洲市场价值。

意法半导体2024 Q3财报显示，年初至今净营收99.5亿美元，Q3净收入32.5亿美元，同比下降26.6%，净利润3.51亿美元，降67.8%。公司计划重塑生产布局，加速300mm Si和200mm SiC晶圆产能，卡塔尼亚厂将加速8英寸SiC产线建设。

Resonac公布2024年前三季度财务业绩，销售额达10275亿日元，同比增长9.04%，净利润515亿日元，同比扭亏为盈大增1109.8%。受益于半导体市场复苏及AI需求增加，SiC外延片等销售额增长，公司正推进8英寸SiC生产。

英飞凌发布2024财年第四季度及全年财报。数据显示，第四财季表现强劲，营收攀升至39.19亿欧元，利润8.32亿欧元，利润率高达21.2%，实现双增长。尽管全年营收为149.55亿欧元，同比下降8%，但利润仍稳定在31.05亿欧元，利润率为20.8%。整体而言，英飞凌在2024财年保持了稳健的盈利能力。由于2025财年市场疲软，公司预期有所降低。英飞凌还在财报中表示，公司在2025财年将减少10%的投资，预计投资额为25亿欧元，并将推迟马来西亚居林工厂的二期建设。

罗姆2024财年上半年业绩营收2320亿日元，同比下滑3%。公司削减SiC业务投资至4700亿-4800亿日元，2024、2025财年投资额分别降至1500亿、1000亿日元以下。社长松本功表示，公司已进入根据需求战略投资SiC的阶段。由于市场放缓，SiC业务销售额目标推迟至2026-2027年。同时，8英寸SiC量产计划调整，筑后、宫崎工厂投产时间不变，但产能提高目标延迟一年。

瑞萨电子2024年前三季财报显示，收入10559亿日元，净利润2003亿日元。Q3营收3453亿日元，同比下滑9%，净利润606亿日元，降20.59%。柴田社长称，因市场低迷，高崎工厂SiC器件生产和商业化及与Wolfspeed的SiC衬底采购合同早期执行将推迟。

德国沉积设备商爱思强2024年前三季度营收4.064亿欧元，毛利率39%。尽管部分项目交付延迟，第三季度营收仍达1.563亿欧元。GaN和SiC设备需求持续增长，第三季度订单量增21%，积压订单增至3.845亿欧元。公司预计2024年全年营收6.2-6.6亿欧元，毛利率43-45%，第四季度营收预计2.15-2.55亿欧元。展望2025年，增长驱动力稳固，但市场需求或缓慢，营收可能与2024年持平或略降。

Axcelis在第三季度实现了稳健增长，营收达到2.566亿美元（折合人民币约18.37亿元），与2024年第二季度基本持平（2.565亿美元）。这一稳健表现主要归功于SiC市场的长期增长潜力。Axcelis的长期增长机会依然良好，得益于多个积极因素的共同作用：SiC市场的强劲增长趋势，内存和一般成熟市场的周期性复苏，先进逻辑市场份额的持续提升，以及在日本市场的深入渗透。

环球晶圆第三季营收达新台币159亿元（约35.31亿元人民币），毛利率和净利率均有所下滑，但仍优于上季。受电费高、折旧高及产能未全开影响，加之SiC市场面临需求放缓、供给过剩及价格竞争等挑战，导致SiC量价齐跌，影响了环球晶圆的产品组合表现。

Qorvo公布2025财年第二季度财务业绩，营收10.47亿美元，同比下降5.2%，净亏损0.17亿美元。总裁Robert Bruggeworth透露，公司正在评估SiC业务的战略替代方案，考虑是否退出该市场。尽管在JFET SiC技术上取得进步，但Qorvo认为新战略方案能创造更多价值。

士兰微电子2024 Q3营收28.89亿，增19.22%，归母净利润5380万，增20184万。士兰微电子表示，公司正加速子公司士兰明镓6英寸SiC芯片产能建设，月产已达0.9万片，计划未来加大投入，推动产品结构升级。上半年，士兰微电子IGBT和SiC模块、器件营收已达7.83亿元，较去年同期增长30%以上。

斯达半导三季报显示，前三季度营收24.15亿降7.8%，净利润4.23亿降35.69%，因部分产品价格下降、毛利率下滑及研发投入增加。第三季度净利润1.49亿，同比下降34.91%。

技术进展持续

美国Cohu公司通过Neon系统正式进军SiC老化测试市场，该系统已被欧洲领先SiC客户订购。Neon系统能快速处理和检测高功率SiC芯片，支持高达2500V测试和3000W散热，配备AI六面光学检测技术，能同时测试多达150个器件，标志着Cohu在SiC领域的业务拓展。

印度国防研究与发展组织（DRDO）下属的固体物理实验室成功开发出本土4英寸SiC晶片制造工艺。印度国防部指出，SiC/GaN技术是国防、航空航天和清洁能源领域的关键推动因素，可提高器件效率、减小尺寸和重量，并增强性能。位于海得拉巴邦的SiC/GaN技术中心能初步生产GaN-on-SiC MMIC，满足新一代太空、航空航天和5G/卫星通信的广泛应用需求。

芬兰Kempower宣布其下一代充电平台采用SiC技术和电源模块V2，已向客户大量交付。新平台功率因数高达0.99，效率超96%，总谐波失真<3%，可降低电力成本，提供相同充电功率。该平台可与新型Kempower电源单元配合使用，也用于站式充电器订单，北美市场预计2024年第四季度开始交付。

上海合晶硅材料公司获得“一种SiC衬底的双面磨削装置”专利，授权公告号CN 221952948 U。该装置设夹持与打磨机构，限位轮实现竖向定位，碎屑直接掉落避免损伤，三角形卡槽增强固定，适用于不同尺寸衬底，且仅需一电机驱动旋转，降低成本，提升良品率。

广汽埃安、小鹏、北汽及长安已导入SiC技术于增程及纯电车型。广汽埃安AION RT系列采用SiC 400V电驱，价格亲民且续航提升30km。小鹏推出“鲲鹏超级电动体系”，实现电驱轻量化，提升续航及效率，减少SiC芯片用量同时输出功率提升10%。吉利插混系统也采用混碳功率模块，扩展SiC应用场景。这些创新推动电动汽车行业发展。

由中电科46所、哈尔滨工业大学联合发表了一篇题为《降低8 英寸碳化硅单晶 BPD 密度的数值模拟和实验研究》的论文透露，他们通过各种创新工艺，可以将BPD 密度降低到 704 cm-2。他们发现：在生长过程中，随着 SiC 晶体厚度增加，剪切应力和位错密度也随之增加，在冷却过程中，剪切应力会相应增加，然而，位错密度在初始冷却阶段也会增加，但在后期冷却阶段却保持相对稳定。

合作不断加强

韩国SiC衬底企业Senic与美国激光切割企业Halo Industries在“ICSCRM2024”会议上签署了MOU，旨在加强SiC晶圆供应和加工合作。双方计划提高资本效率，缩短产品上市时间，降低成本，增加客户价值。Senic希望通过紧密合作，改善6英寸和正在开发的8英寸SiC晶圆的加工质量和降低成本。Halo Industries专注于多种材料的激光加工技术，此次合作将为双方带来互利共赢的发展机遇。

Nexperia与KOSTAL建立战略合作关系，共同开发宽禁带器件以满足汽车应用需求。初期合作将聚焦于电动汽车车载充电器的SiC MOSFET器件。KOSTAL凭借百年行业经验，为全球近半数汽车提供产品，包括450万个车载充电器，对电动汽车发展贡献显著。

芯合半导体与东瑞焊接合作成立“SiC焊机联合实验室”，旨在SiC功率器件及焊机应用研发、供应链建设等方面合作，强化自主可控产业链。双方将评估SiC器件在七大系列焊机中的应用，开发高效焊机产品。东瑞焊接对芯合产品的一致性和可靠性表示高度认可。

Stellantis集团与英飞凌携手合作，共同开发电动汽车动力架构，并签署供应协议。英飞凌将为Stellantis提供PROFET™智能电源开关和SiC CoolSiC™半导体，助力其标准化动力模块，提升电动汽车性能和效率。双方还建立联合动力实验室，探索下一代智能动力架构。英飞凌凭借全球领先的SiC晶圆厂及合作伙伴，满足汽车半导体市场需求。

吉利汽车功率半导体技术创新平台揭牌，晶能微电子发布首期成果——太乙混合功率器件。该器件采用SiC&IGBT并联设计，峰值功率高达260KW，系统尺寸小，出流能力强。平台汇聚多家功率半导体企业和科研院所，将加速第三代宽禁带半导体等芯片在汽车领域的研发与应用，为新能源汽车产业发展注入新动力。

芯塔电子成为安徽芯塔与杰华特的合资公司，主营SiC功率模组业务。依托湖州封装产线，结合双方芯片研发优势，致力于开发高性能、高可靠性车规级模块。此次合作将强化双方在SiC模组封测领域的竞争力，推动市场拓展、应用开发、技术创新与资源整合，实现共赢发展。杰华特作为虚拟IDM企业，产品广泛，此次合作将进一步丰富其业务版图。

芯能半导体与芯合半导体携手成立“SiC功率模块联合实验室”，旨在融合双方优势，共同推进SiC功率模块的研发、生产和应用。芯能半导体已发布国内首款SiC智能功率模块并量产，其合肥工厂也已运营。芯合半导体则专注于SiC芯片设计与制造，北京晶圆厂已出货。

法雷奥携手罗姆，共绘电动出行蓝图。双方整合功率电子专长，首发TRCDRIVE pack™ SiC模组，赋能法雷奥次世代动力系统。预计2026年首批交付，旨在延展续航，提速快充，缔造BEV/PHEV性价比新标。

澜芯半导体与无锡华腾新能技术有限公司达成战略合作，双方就功率半导体在商用车DCDC、热泵控制器等领域的应用展开深度合作，为终端客户提供一站式定制服务解决方案。澜芯半导体1200V 80mΩ和30mΩ SiC MOSFET在华腾新能3.3kW和6.6kW DCDC产品上的出色应用得到合作伙伴的深度认可，结合华腾新能在系统开发方面的技术优势，同比友商竞品产品实现明显效率提升。

日本经产省大力扶持电装与富士电机SiC项目，总投2116亿日元，政府助705亿。电装专司SiC衬底，富士电机制器件，目标年产31万片，2027年5月供货。电装2023年投资Silicon Carbide LLC，确保6/8寸衬底；与三菱电机、Coherent签长协，稳固材料链。富士电机2000亿日元投向EV控件，新建SiC产线，展现日本SiC行业进取姿态。

量产应用稳健

三菱电机在SiC产线建设上取得重要进展，其位于日本熊本县的8英寸SiC工厂预计将于2025年11月正式投产，比原计划提前约5个月。该工厂占地4.2万平米，专注于8英寸SiC晶圆的前端工艺，将大幅提升三菱电机在SiC功率半导体领域的产能和竞争力。此外，三菱电机还设定了明确的销售目标，计划到2030年将功率半导体业务中的SiC销售比例提高至30%以上，并计划在2026年前将SiC产能提升5倍，以扩大在全球SiC功率半导体市场的份额，进一步推动电动汽车行业的持续发展。

悉智科技宣布自研高端电驱SiC-DCM塑封功率模块已成功量产，突破1万颗生产里程碑，标志着SiC塑封功率模块国产化取得显著进展。该产品性能出色、质量稳定，获国内外知名OEM厂商信赖，已应用于智己汽车。经测试，其电、热、力性能优于国际竞品，展现悉智科技在功率模块封装技术上的强大实力。

岚图知音，东风岚图与华为合作新车型，正式上市。该车以901km超长续航和全域800V平台技术为亮点，核心竞争力在于三电、豪华智能、机械素质和车内空间领先。采用自研800VSiC平台和5C超充技术，15分钟充电续航超500km。致瞻科技为其提供SiC电源模组，已推出多款领先SiC产品，成为小米汽车、华为、比亚迪等主流车企的长期合作伙伴。

林众电子研发及智能质造中心近日正式启用，该中心位于上海松江区，占地35亩，总投资近5亿，建筑面积近6万平米。启用后，将容纳超30条自动化生产线，年产能达3000万颗功率模组，涵盖IGBT和SiC芯片，广泛应用于新能源行业。林众电子车规级SiC产品包括单面水冷塑封、全桥灌封等模块，采用先进技术提升产品可靠性。

三安光电湖南三安SiC配套产能已达16,000片/月，计划扩产至36万片/年，8英寸SiC衬底已小批量出货，芯片产线正在安装调试。重庆三安衬底厂已点亮通线，产能1,000片/月。同时，湖南三安车规级SiC MOSFET已小批量出货，主驱逆变器用产品正在重点客户处验证。

芯联集成宣布，蔚来旗下全新品牌乐道首款车型乐道L60采用了其供应的碳化硅模块。乐道L60是同级别车型中唯一采用全域900V高压平台架构的车型，其主电驱系统搭载的蔚来自研1200V SiC碳化硅功率模块，融合了芯联集成提供的高性能碳化硅模块制造技术。芯联集成也将为广汽埃安旗下全系新车型提供高性能的碳化硅MOSFET与硅基IGBT芯片和模块。

扬州国扬电子喜获国内重点车企定点，将批量供应车规级塑封SiC功率部件。依托国基南方、55所SiC全产业优势，双方联合研发主驱用SiC部件，推出750V/1200V SiC MOSFET芯片及塑封多合一功率组件。

力合科创投资孵化的基本半导体与广汽埃安围绕车规级碳化硅功率模块的上车应用持续展开合作，为其提供技术解决方案。其中，Pcore™6汽车级碳化硅功率模块等产品已经在埃安Hyper SSR、GT、HT等多个车型上实现量产。

新品层出不穷

先来看设备方面，浙江省经济和信息局组织召开了瑶光半导体（浙江）有限公司的浙江省首台套产品工程化攻关项目“SiC激光退火设备”专家验收会。瑶光半导体自主研发的激光退火设备，具有扫描速度快、控制精度高、能耗低等优势，能够有效改善SiC材料的微观结构，提高器件的性能和可靠性，同时满足了市场对高品质、高效率生产的需求。该设备的成功研制，不仅满足了市场需求，也推动了半导体制造技术的进步。

天津环博科技自主研发的业内首台SiC脱胶清洗插片一体机已成功交付给头部SiC企业。该设备整合了传统手工多道工序，实现了工艺创新。截至目前，环博科技已在半导体、光伏领域交付400余台设备，展现了其在湿法设备领域的强大实力。

再来看器件和模块，英飞凌推出HybridPACK Drive G2 Fusion模块，巧妙结合硅与SiC技术，为电动汽车牵引逆变器设立新标准。此模块平衡性能与成本，利用SiC高热导率、高击穿电压及快速开关特性，提升效率，同时降低SiC含量，仅需30% SiC搭配70%硅面积，即达近全SiC系统效率，提供高性价比方案，满足长续航需求，不增系统复杂性。

同为日本厂商的东芝也推出了X5M007E120 1200VSiC MOSFET，专为汽车牵引逆变器设计。该MOSFET采用创新结构，实现了低导通电阻和高可靠性。通过嵌入肖特基势垒二极管(SBD)而不用体二极管，解决了传统SiC MOSFET在反向传导操作时可靠性降低的问题。其测试样品现已发货供客户评估。

纳微半导体推出全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源，采用GaN和SiC混合设计，效率超97.5%，适配AI及超大规模数据中心。该电源输出电压54V，符合OCP和ORv3规范，采用高功率GaNSafe™和第三代SiC MOSFET，实现最高效率和最佳性能，减少无源器件数量。三相拓扑结构降低纹波电流和EMI，器件数量减少25%，降低成本。输入电压180-264 Vac，待机12V，工作温度-5°C至45°C。

三安光电发布高性能SiC功率产品，覆盖1700V及2000V系列，亮点包括低导通电阻MOSFET、高电流二极管等。其中，2000V 40A二极管已面世，20A版将于2024年底推出，2000V 35mΩMOSFET预计2025年发布。这些SiC器件在光伏、电动汽车、储能及高压电网等领域展现卓越效率，助力提升电力传输，减少损耗，增强系统稳定性。

天岳先进成功交付高质量低阻P型SiC衬底，推动高性能SiC-IGBT发展，助力高端特高压功率器件国产化。针对成本高、电阻率高等技术难题，天岳先进在液相法领域取得重大突破，推出4度偏角P型SiC衬底，电阻率小于200mΩ•cm，面内分布均匀，结晶性佳，标志着向更高电压领域迈进重要一步。

瞻芯电子推出TC3Pak顶部散热封装1200V SiC MOSFET，IV2Q12040K1Z与IV2Q12080K1Z通过AEC-Q101认证，具高频低损特点。TC3Pak直触散热，不依靠PCB大幅降温，Kelvin源极防尖峰，优化开关损耗。它适用于车载充电、DC/DC、空压机控、光伏逆变与AC/DC电源，促高效高密电源设计。

扬杰科技全新TO-263-7L、TOLL、T2PAK系列SiC MOSFET，专攻光伏逆变、充电桩与电源市场。它采用开尔文连接，显著缩短开关周期，削减能量损失，赋能高频操作与敏捷反应。对比传统插脚组件，缩减电路板占地面积，推进模块化集成进程，理想匹配高功高效电子系统需求。