近日，记者走进重庆平伟实业股份有限公司(以下简称“平伟实业”)功率半导体可靠性实验室，看到研发人员各司其职，或在测量MOSFET的动态开关参数，或在对产品的各项性能指标进行检验与评估。

　　“目前，研发人员正在对产品进行常规性指标检验和评估，一旦产品验证合格，将进行批量生产。”平伟实业执行副总王兴龙介绍，除此实验室外，目前平伟实业还在组建专业团队，致力于6英寸碳化硅芯片的研发，计划2019年新增生产线，进行规模生产。

　　据了解，碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、临界电场高、抗辐射等特点，被广泛应用于各个领域，如空调、光伏发电、风力发电、高效电动机、混合和纯电动汽车、高速列车、智能电网、超高压输变电等。与使用传统硅器件相比，使用碳化硅半导体电力电子器件可以大大减少电力系统的能量损耗，提高电力使用效率，降低电力系统的尺寸，同时可提高系统运行的可靠性并降低系统整机造价。

　　据介绍，新增6英寸碳化硅芯片生产线项目已列入重庆2018年重点推进项目。该项目于去年下半年提出，10月份开始筹备，计划总投资10亿元，项目占地300亩，总基建面积75亩。平伟实业将通过建设碳化硅芯片生产线，掌握核心技术，建立碳化硅知识产权体系，实现国内领先、接轨国际发展水平目标，做成国内第一家SiCIDM公司，与国家大厂竞争，填补产业化空白。

　　截至目前，平伟实业已成立碳化硅技术研发与产品设计公司，建立核心技术团队，对6英寸碳化硅进行工艺研发和设计优化。

　　王兴龙表示，待落实SiC芯片项目立项、通过项目可行性论证后，公司计划2019年新建厂房并购进设备，进行规模生产。届时，芯片生产线满产能可达6万片/月、SiC片2万片/月，预计可实现年产值46.8亿元。