芯塔电子SiC MOSFET 助力中国新能源产业发展

  以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体功率芯片和器件,以其高压、高频、高温、高速的优良特性,能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度,降低成本造价,增强可靠性和适用性,提高电能转换效率,降低损耗。SiC产业目前处于快速发展期,新能源汽车及光伏等领域对SiC MOSFET需求旺盛。然而,SiC MOSFET因技术难度高、研发周期长、研发投入大、人才要求高等因素,国内总体水平还相对比较薄弱,具备研发和量产能力的企业更是凤毛麟角。

  面对外界风险挑战,芯塔电子坚持本土创新,加大研发投入,攻坚关键核心技术,面向三代半新赛道加快构建核心技术优势。芯塔电子依靠十多年的技术积累,通过和合作单位共同研发栅介质的核心工艺技术,研究栅氧的物理机理,改进了MOS栅的可靠性和沟道迁移率,使得具有自主的知识产权的SiC MOSFET器件具有更小的导通电阻,性能达到国际先进水平。

  公司TM1G0080120K SiC MOSFET产品,在应用端与国际一线品牌进行了测试对比(如下图),在高频开关应用下,性能满足客户需求,可实现国产替代。

芯塔电子1200V SiC MOSFET应用测试


  芯塔电子是SiC功率器件国产化的先行者,SiC MOSFET从产品设计、制造、封装等各环节均在国内完成,该系列产品加快了中国SiC MOSFET器件的国产化进程(包括自主的IP、材料、设计、工艺等),彰显了我司科技创新的核心竞争力。芯塔电子SiC 1200V 80-40mΩ MOSFET器件已经给国内的重要客户进行了送样和销售,包括军工、新能源汽车、充电桩等领域,同时也已获得众多客户的咨询和明确需求,预计今年营收会有爆发性增长。

  依靠十多年的技术积累和专注的技术研发,芯塔电子已形成比较完整的功率器件产品体系,包括6英寸SiC肖特基二极管芯片,650V-1200V 40多种规格的第五代SiC肖特基二极管器件,SiC MOSFET器件和模块。公司目前已积累上百家客户资源,并进入了行业标杆客户。在资本方面,公司已获得了政府的有力支持和头部资源的投资,将助推公司更加快速的发展。芯塔电子将加快创新驱动,携手国内第三代半导体产业链共同助力中国新能源产业发展。



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