邹世昌历任上海冶金所(现上海微系统所)离子束开放实验室主任、所长;曾受聘为德国慕尼黑弗朗霍夫学会固体技术研究所客座教授。1991年当选为中国科学院学部委员(院士)，1992年当选为中共第十四届中央委员会候补委员。邹世昌先后获得国家发明一等奖和中国科学院自然科学、科技进步等14项奖励， 2003年被评为上海浦东开发建设杰出人才，2008年被国际半导体设备材料协会SEMI授予中国半导体产业开拓奖。

　　中国北车历来重视大功率半导体技术(IGBT)的研发，致力于完全掌握轨道交通装备产业的核心技术，在IGBT封装和IGBT芯片的研制上均有所建树。在IGBT封装领域，2011年12月，中国北车永济电机公司已经成为世界第四个、国内第一个能够封装6500V以上IGBT产品的企业。

　　IGBT芯片的攻克也同步进行。2010年12月，中国北车与上海卓骋电子科技有限公司共同出资建立上海北车永电电子科技有限公司，邹世昌出任中国北车上海永电首席科学家，正式加盟中国北车，领军国内目前唯一专注于高压大电流工业级IGBT芯片研发生产的设计企业。

　　两年来，在邹世昌院士的带领下，中国北车上海永电先后完成了1700伏、3300伏、6500伏IGBT和FRD芯片设计工作，并分别在6英寸产线和8英寸产线上进行了批量的工程流片验证。

　　目前，中国北车上海永电公司已成功开发了“IGBT深沟槽工艺”与“深场截止工艺”这两项代表IGBT技术发展趋势的特殊工艺模块，具有国内领先水平的高压大电流IGBT/FRD芯片的生产工艺平台，并且通过了实际工程流片验证，同时自主开发的3300伏IGBT芯片已完成了小批量流片和封装测试，即将进行装机运用考核测试。

　　IGBT因其与生俱来的节能性在中国倡导节能减排和大力发展新能源的时代备受推崇。作为新一代功率半导体器件，IGBT具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点，是自动控制和功率变换的关键核心部件，被广泛应用在轨道交通装备行业、电力系统、工业变频、风电、太阳能、电动汽车和家电产业中。目前我国IGBT的年需求量已超过75亿元，且每年以30%以上的速度增长。

　　然而，目前国内仅有少数企业从事中小功率IGBT封装，而且尚未形成产业规模，在IGBT芯片的产业化以及高压大功率IGBT的封装方面，几乎是一片空白，大量的IGBT元器件依靠进口。邹世昌领衔中国北车研发团队攻关大功率半导体核心技术，有望推动中国大功率半导体核心技术的产业化进程。